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トランジスタとFETについて

トランジスタとFETについて
それぞれの出力(Vo)は
トランジスタ:ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V
FET:RDS(ON抵抗)に流した電流分、電圧降下するので+5V-RDS×電流
この考えでよろしいのでしょうか?

マルチメディアファイルは削除されたか見つかりません。

投稿日時 - 2010-10-13 18:39:01

QNo.6247727

困ってます

質問者が選んだベストアンサー

トランジスタ回路について
示された回路はエミッタフォロア回路でゲイン1倍のバッファアンプとして動作します。スイッチング動作はしません。
Vinが0.6V以上のときVoutはVin-Vbe(約0.6V)となります。

>コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか?

どういう動作をさせたいのかよく解りませんが
スイッチング動作させリレーやLED(負荷)などをON/OFFさせたいのなら、それらは電源とコレクタ間に配置しエミッタはGNDに接続します。

投稿日時 - 2010-10-13 19:52:27

補足

回答ありがとうございます
具体的なことをまた質問したいと思います。
エミッタフォロアについて勉強してみます。

投稿日時 - 2010-10-13 21:23:12

ANo.3

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回答(4)

No.1,2 です。

No.3さん>示された回路はエミッタフォロア回路で

無知な回答ですみませんでした。

http://bipcircuits.web.fc2.com/bip_basic/collecter/emitfollow2.html

投稿日時 - 2010-10-13 21:32:07

>PNPトランジスタと間違えていました
>コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか?

いろんな使い方、中には突飛なのもあるので否定しませんが、
エミッタ接地なら普通コレクタ側に入れますね。
B-E 間にVin を与えるのも電圧が明らかになりますし。

投稿日時 - 2010-10-13 19:42:55

>トランジスタ:ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V

違います。Vce(sat)という、CE間がONの時のON抵抗による電圧降下
(サチュレーション電圧などとも呼ばれます。ごくわずかで、
0.03Vなどという数字です)を
電源電圧から引いた電圧がVo に
出てきます。ほとんど5Vに近い電圧です。

B-E 間の電圧って、 B は Vin側 につながる端子ですから、
電流経路としても B-E間電圧を引くのっておかしいですよね。

ところで、アースの直前にある四角形は抵抗ですか?
ちょっと見慣れない繋ぎ方ですね。これでトランジスタのON/OFF はきちんとできるのでしょうか。

FET の方は自信ありませんが、いいと思います。

投稿日時 - 2010-10-13 18:52:22

補足

>電源電圧から引いた電圧がVo に
出てきます。ほとんど5Vに近い電圧です。
スッキリしました。ここが聞きたかったです。

PNPトランジスタと間違えていました
コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか?

投稿日時 - 2010-10-13 19:11:45

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