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解決済みの質問

MOSFETのIds-Vgs特性について

MOSFETのドレイン電流-ゲート電圧特性の測定を行ったところ、Vgsが十分大きな領域でIds-Vgs曲線が上に凸となり、相互コンダクタンス(∂Ids/∂Vgs)が極大点を示しました。
これまで私はIds-Vgs特性は二次曲線としか理解しておらず、また、自身で調べた程度では十分な説明を得られなかったため、このことに対する考察ができませんでした。

このことについて、その原理等、定性的な解説をお願いします。

投稿日時 - 2014-11-02 15:42:46

QNo.8811290

困ってます

質問者が選んだベストアンサー

>これまで私はIds-Vgs特性は二次曲線としか理解しておらず、

物理現象ですから、必ずサチります。

立ち上がりは2次関数ですが、十分大きな領域では通常フラットです。

理由は、チャネルの空乏層が十分広がってソースドレイン領域よりも深くなったとしても「抵抗が下がりようがない」ぐらいの理解で良いのでは?

投稿日時 - 2014-11-02 19:24:31

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回答(2)

ANo.2

VgsをパラメーターにしてIds-Vds特性を測ればその理由が分ります。

投稿日時 - 2014-11-02 20:50:05

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